GLAD Tekniği ile Büyütülen Zig-Zag Nano Şekilli a-Si/c-Si Heteroeklemlerin Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorTatar, Beyhan
dc.date.accessioned2022-05-11T14:29:28Z
dc.date.available2022-05-11T14:29:28Z
dc.date.issued2017
dc.departmentFakülteler, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü
dc.description.abstractZig-zag nano şekilli a-Si ince filmler c-Si altlıklar üzerine elektron demeti buharlaştırma sistemi içerisinde GLAD tekniği kullanılarak hazırlanmıştır. Zig-zag nano şekilli ince filmlerin yapısal özellikleri X-ışınları difraksiyonu (XRD) analizi ve Raman spektroskopi analizi ile belirlendi. Büyütülen Zig-zag nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin yüzey ve arakesit morfolojileri Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu (FE-SEM) ile incelendi. Bu heteroeklemlerin elektrik ve fotovoltaik özellikleri dc akım-gerilim (I-V) ölçümleri yardımıyla oda sıcaklığında karanlık ve aydınlık şartlarda incelendi. Bariyer yüksekliği ?B, ideallik faktörü ?, seri direnç Rs ve şhunt direnci Rsh gibi Zig-zag nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin karanlık şartlardaki elektriksel parametreleri I-V karakteristiklerinden belirlendi ve sırasıyla 0,83 eV, 3,59, 14,3 k? ve 0,65 M? olarak bulundu. Zig-zag nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemler iyi bir fotovolataik davranış göstermiştir ve açık devre gerilimi ve kısa devre akımı gibi fotovoltaik parametreleri sırasıyla Voc=232 mV ve Jsc=22 mA/cm2 olarak elde edilmiştir. Bu Zig-Zag nano yapının boşluklu yüzey morfolojisi güneş pili teknolojileri ve fotovoltaik aygıtlar için önemli bir özelliktir.
dc.description.abstractThe Zig-Zag nano shape a-Si thin films were prepared on c-Si substrates by GLAD technique in electron beam evaporation system. The structural properties of the Zig-Zag nano shape thin films were determined by X-Ray Diffraction (XRD) analysis and Raman spectroscopy. Surface and cross -sectional morphology of Zig-Zag nano shape a-Si/c-Si heterojunctions were investigated by Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM). The electrical and photovoltaic properties of these heterojunction have been investigated by means of dc currentvoltage (I-V) measurements within at room temperature in dark and light conditions. Electrical parameters such as barrier height ?B , diode ideality factor ?, series resistance Rs and shunt resistance Rsh were determined from the I-V characteristic in the dark conditions for Zig-Zag nano shape a-Si/c-Si heterojunctions were found to be 0.83 eV, 3.59, 14.3 k? and 0.65 M? respectively. The Zig-Zag nano shape a-Si/c-Si heterojunctions show a photovoltaic behavior and the photovoltaic parameters, such as open circuit voltage and short circuit current were obtained as Voc=232 mV and Jsc=22 mA/cm2, respectively. The porous morphology of this Zig-Zag nano structure has important features in photovoltaic devices and solar cell technology.
dc.identifier.endpage17
dc.identifier.issn1308-9072
dc.identifier.issue1en_US
dc.identifier.startpage11
dc.identifier.trdizinidTWpNeE1qWTVPUT09
dc.identifier.urihttps://app.trdizin.gov.tr/makale/TWpNeE1qWTVPUT09
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.11776/6986
dc.identifier.volume29
dc.indekslendigikaynakTR-Dizin
dc.institutionauthorTatar, Beyhan
dc.language.isotr
dc.relation.ispartofFırat Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.titleGLAD Tekniği ile Büyütülen Zig-Zag Nano Şekilli a-Si/c-Si Heteroeklemlerin Elektriksel ve Fotovoltaik Özelliklerinin İncelenmesi
dc.title.alternativeInvestigation of Electrical and Photovoltaic Properties of Zig-Zag Nano Shape a-Si/c-Si Heterojunctions Grown by GLAD Technique
dc.typeArticle

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
6986.pdf
Boyut:
812.87 KB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir

Koleksiyon

TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu
Fen Edebiyat Fakültesi Koleksiyonu