Fotovoltaik uygulamalarda kullanılmak üzere elektro-kimyasal biriktirme yöntemi ile üretilen yarıiletken ZnS ince filmlerin karakterizasyonu

dc.contributor.authorErtürk, Esra
dc.date.accessioned2020-02-18T12:43:46Z
dc.date.available2020-02-18T12:43:46Z
dc.date.issued2019
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
dc.description.abstractÇinko sülfit (ZnS), güneş pillerinde kullanım için uygun olan 3,5-3,7 eV arasında geniş bir yasak enerji aralığına sahip önemli bir inorganik yarı iletkendir. ZnS ince filmler, insan vücudu için toksik değildir ve içeriğinde bulunan elementler çok ucuz ve bol miktarda bulunur. Geniş alanlara kaplama özelliği ve ekonomik olmasından dolayı yarıiletken ince filmlerin elektrokimyasal olarak biriktirilmesi gün geçtikçe popüler olmaktadır. ZnS ince filmler, basit üç elektrotlu sistem ve sulu çinko klorür ve sodyum tiyosülfat çözeltileri kullanılarak oda sıcaklığında elektro-kimyasal biriktirme yöntemi ile iletken cam altlık üzerine biriktirildi. NaCl ile ZnS / iyonik çözeltinin Mott-Schottky (Ag / AgCl'a karşı 1 / C2) analizi, 100 Hz'de sabit bir frekansta, 10 mV'lik bir AC genliğinde gerçekleştirildi. Düz bant potansiyeli ve taşıyıcı konsantrasyonu, C-V ölçümleriyle hesaplandı.
dc.description.abstractZinc sulfide, is an important inorganic semiconductor with a wide bang gap ranging from 3.5-3.7 eV which is suitable for applications in solar cells. ZnS thin films are nontoxic to human body, very cheap and abundant. The semiconductor thin film deposition from aqueous solution becomes increasingly popular because it has advantages of economical and capability of large area deposition. Zinc sulfide thin films have been deposited onto indium tin oxide glass substrate by electrodeposition method at room temperature using a simple three-electrode system and aqueous solutions of zinc chloride and sodium thiosulfate solutions. Mott-Schottky (1/C2 vs Ag/AgClsat.) analysis of ZnS/ionic solution with NaCl were carried out at an AC amplitude of 10 mV at a constant frequency at 100 Hz. The flat band potential and carrier concentration are estimated by C-V measurements
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.11776/3623
dc.language.isotr
dc.publisherNamık Kemal Üniversitesi
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccess
dc.subjectElektrokimyasal biriktirme
dc.subjectZnS yarıiletkeni
dc.subjectMott-Schottky analizi
dc.subjectElectrodeposition
dc.subjectZnS Semiconductor
dc.subjectMott-Schottky Analyze
dc.titleFotovoltaik uygulamalarda kullanılmak üzere elektro-kimyasal biriktirme yöntemi ile üretilen yarıiletken ZnS ince filmlerin karakterizasyonu
dc.title.alternativeCHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR ZnS THIN FILMS PRODUCED BY ELECTRO-CHEMICAL DEPOSITION METHOD FOR PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
dc.typeMaster Thesis

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
0063895.pdf
Size:
2.15 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
1.55 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: