RF magnetron saçtırma tekniği ile üretilen çinko oksit ve galyum katkılı çinko oksit ince filmlerin fiziksel özelliklerinin karşılaştırılması

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorErtürk, Kadir
dc.contributor.advisorBilmiş, Makbule Terlemezoğlu
dc.contributor.authorDeliormanlı, Murat
dc.date.accessioned2024-10-29T18:44:38Z
dc.date.available2024-10-29T18:44:38Z
dc.date.issued2023
dc.departmentEnstitüler, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı
dc.descriptionFen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalı, Genel Fizik Bilim Dalı
dc.description.abstractTez çalışmasında, radyo frekans (RF) magnetron saçtırma tekniği ile üretilen katkısız ve Ga katkılı çinko oksit (ZnO) ince filmlerin, yapısal, morfolojik, optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Yapısal incelemeler sonucunda katkısız ve Ga katkılı ZnO ince filmlerin XRD desenlerinin, hegzagonal wurtzite yapıda c-yönelime sahip olduğu gözlendi. Taramalı elektron mikroskobu (SEM) ile üretilen ince filmlerin yüzey görüntülerinin homojen, kompakt ve boşluksuz bir yapıya sahip olduğu gözlendi. Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) ile üretilen numunelerin yüzey pürüzlülüğünün ortalama karekök değerleri (RMS) ölçülerek karşılaştırıldı. Ayrıca, optik analizler sonucunda, ince filmlerin yasak enerji aralığının Ga katkısı ile azaldığı belirlendi. Bunlara ek olarak, filmlerin elektriksel özellikleri de, dört nokta prob (four point probe) yöntemi ve sıcaklığa bağımlı iletkenlik ölçümleri karanlık ve farklı ışık yoğunlukları kullanılarak yapılmıştır.
dc.description.abstractIn this thesis, the structural, morphological, optical and electrical properties of undoped and Ga-doped zinc oxide (ZnO) thin films produced by radio frequency (RF) magnetron sputtering technique were investigated. As a result of structural investigations, XRD patterns of undoped and Ga-doped ZnO thin films were observed to have c-orientation in hexagonal wurtzite structure. The surface images of the thin films produced by scanning electron microscopy (SEM) were observed to have a homogeneous, compact and void-free structure. The root mean square values (RMS) of the surface roughness of the samples produced by atomic force microscopy (AFM) were measured and compared. Furthermore, optical analysis revealed that the forbidden energy range of the thin films decreases with Ga doping. In addition, the electrical properties of the films were also measured using the four point probe method and temperature dependent conductivity measurements using dark and different light intensities.
dc.identifier.endpage48
dc.identifier.startpage1
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=S2eMu1TIwY_v4mYv58xAr4MzIi9kFjHftVO94ct3QbhKIt9rdldrU3bJL0aH1hVC
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.11776/15063
dc.identifier.yoktezid831490
dc.language.isotr
dc.publisherTekirdağ Namık Kemal Üniversitesi
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliği
dc.subjectPhysics and Physics Engineering
dc.titleRF magnetron saçtırma tekniği ile üretilen çinko oksit ve galyum katkılı çinko oksit ince filmlerin fiziksel özelliklerinin karşılaştırılması
dc.title.alternativeComparison of the physical properties of zinc oxide and gallium doped zinc oxide thin films sputtered by RF magnetron technique
dc.typeMaster Thesis

Dosyalar

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tez Koleksiyonu