Elektrobiriktirme yöntemi ile üretilen n-CdTe VE p-CdTe

Abstract

Solar hücre uygulamalarında kullanılan CdTe yarı iletken ince filmler, 1.45 eV'luk ideal bir bant boşluğuna ve yüksek foton soğurma katsayısına (5.1x105 cm-1) sahiptir. Solar hücre uygulamalarında p-CdTe / n-CdS yapısı kullanılmaktadır. Diğer yandan, n-CdTe ince filmlerin üretimi, daha verimli p-CdTe / n-CdTe / n-CdS yapısına sahip güneş pilini yapmak için önemlidir. Üç elektrotlu elektrokimyasal biriktirme yöntemi ile indiyum kalay oksit (ITO) kaplı cam yüzeylerde n ve p tipi CdTe ince filmleri üretilmiştir. 10 mM CdCl2, 20 mM Na2Te03 ve 200 mM LiCl sulu çözeltileri kullanılmış ve HC1 ile elektrolitin pH’ı ~2.0’a ayarlanmıştır. Döngüsel voltammetri kullanılarak Cd ve Te’un kaplanma potansiyelleri tespit edilmiştir. Biriktirme, n-tipi CdTe için -0,8 V’ta 120 sn yapılmıştır. p-tipi CdTe için biriktirme önce -0,4V’ta 40s daha sonra -0,6V’ta 100s süreyle yapılmıştır. ITO (indiyum kalay oksit) kaplı cam yüzey üzerinde üretilen CdTe (kadmiyum tellürid) ince filmlerinin elektrodepozisyonu oda sıcaklığında yapılmıştır. CdTe ince filmler elektron mikroskobu (SEM), Ultraviyole Görünür (UV-Vis) spektroskopisi, Mott-Schottky ölçümleri gibi bazı teknikler kullanılarak incelenmiştir.

CdTe semiconductor thin films used in solar cell applications have an ideal band gap of 1.45 eV and a high photon absorption coefficient (5.1x105 cm-1). In solar cell applications, p-CdTe / n-CdS structure is used. On the other hand, the production of n-CdTe thin films is important for making the solar cell with more efficient p-CdTe / n-CdTe / n-CdS structure. Thin films of n and p type CdTe were produced on indium tin oxide (ITO) coated glass surfaces by three electrode electrochemical deposition method. Aqueous solutions of 10 mM CdCl2, 20 mM Na2Te03 and 200 mM LiCl were used and the pH of the electrolyte was adjusted to ~ 2.0 using HCl acid. Using cyclic voltammetry, Cd and Te’un coating potentials were determined. The deposition was performed for 120 sec at -0.8 V for n-type CdTe. For p-type CdTe, deposition was first performed at -0.4V for 40s and then at -0.6V for 100s. ITO were performed at room temperature CdTe thin films is investigated by means of some techniques such as scanning electron microscopy (SEM), Ultraviolet–Visible (UV–Vis) spectroscopy, Mott-Schottky measurements.