Mutlu, Reşat2019-02-272019-02-272018https://hdl.handle.net/20.500.11776/3080An ideal memristor, which was claimed to be the fourth fundamental element of circuit design by Dr. Chua in 1971, is a nonlinear resistor and its properties cannot be mimicked with linear time-invariant circuit elements. A thin-film which behaves as if a memristor has been declared found experimentally by a HP research team lead by Stanley Williams in 2008. A quite explicit model of the memristor has also been given by the team. The HP memristor resistance can be found by summing the resistances of the doped and undoped regions. Assuming the doped region length is proportional to memristor charge, which is the integration of memristor current, the doped region has a constant drift speed, and a constant memristor cross-section, the HP memristor resistance has a linear charge dependency till it saturates. In this paper, it is shown that a memristor with a logarithmic charge dependency can be made using the principles given by the team and making some modifications to memristor geometry.İdeal bir memristör, 1971 yılında Dr. Chua tarafından devre tasarımı için dördüncü temel devre elemanı olarak iddia edilen nonlinear bir dirençtir ve özellikleri lineer zamanla-değişmeyen devre elemanları tarafından taklit edilememektedir. Memristör olarak davranan bir ince-filmin bulunduğu, 2008 senesinde Stanley Williams tarafından yönetilen bir HP araştırma timi tarafından ilan edilmiştir. Bu memristörün oldukça anlaşılabilir bir modeli de bu tim tarafından verilmiştir. Bu HP memristör direnci katkılanmış ve katkılanmamış bölgelerin dirençlerini ekleyerek bulunabilir. Katkılanmış bölge uzunluğunun akımın integrali olan memristör yüküne orantılı olduğu, katkılanmış bölgenin sabit bir sürüklenme hızına sahip olduğu ve memristör kesiti sabit olarak kabul edilirek, HP memristör direncinin, doyma gerçekleşene kadar, lineer yük bağımlılığı vardır. Bu makalede, logaritmik yük bağımlılığı olan bir memristörün HP timi tarafından verilen prensipleri kullanarak ve memristör geometrisine bazı değişiklikler yapılarak yapılabileceği gösterilmiştir.eninfo:eu-repo/semantics/openAccessTiO2 memristor modelMemristance calculationProgrammable gain amplifierManufacturing tolerancesCircuit topologyTiO2 memristör modeliMemristans hesaplamaProgramlanabilir güç kuvvetlendiricisiÜretim toleranslarıDevre topolojisiArticle11913