TiO2 Memristor with Logarithmic Memristance

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid148053
dc.contributor.authorMutlu, Reşat
dc.date.accessioned2019-02-27T11:11:02Z
dc.date.available2019-02-27T11:11:02Z
dc.date.issued2018
dc.departmentFakülteler, Çorlu Mühendislik Fakültesi, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü
dc.description.abstractAn ideal memristor, which was claimed to be the fourth fundamental element of circuit design by Dr. Chua in 1971, is a nonlinear resistor and its properties cannot be mimicked with linear time-invariant circuit elements. A thin-film which behaves as if a memristor has been declared found experimentally by a HP research team lead by Stanley Williams in 2008. A quite explicit model of the memristor has also been given by the team. The HP memristor resistance can be found by summing the resistances of the doped and undoped regions. Assuming the doped region length is proportional to memristor charge, which is the integration of memristor current, the doped region has a constant drift speed, and a constant memristor cross-section, the HP memristor resistance has a linear charge dependency till it saturates. In this paper, it is shown that a memristor with a logarithmic charge dependency can be made using the principles given by the team and making some modifications to memristor geometry.
dc.description.abstractİdeal bir memristör, 1971 yılında Dr. Chua tarafından devre tasarımı için dördüncü temel devre elemanı olarak iddia edilen nonlinear bir dirençtir ve özellikleri lineer zamanla-değişmeyen devre elemanları tarafından taklit edilememektedir. Memristör olarak davranan bir ince-filmin bulunduğu, 2008 senesinde Stanley Williams tarafından yönetilen bir HP araştırma timi tarafından ilan edilmiştir. Bu memristörün oldukça anlaşılabilir bir modeli de bu tim tarafından verilmiştir. Bu HP memristör direnci katkılanmış ve katkılanmamış bölgelerin dirençlerini ekleyerek bulunabilir. Katkılanmış bölge uzunluğunun akımın integrali olan memristör yüküne orantılı olduğu, katkılanmış bölgenin sabit bir sürüklenme hızına sahip olduğu ve memristör kesiti sabit olarak kabul edilirek, HP memristör direncinin, doyma gerçekleşene kadar, lineer yük bağımlılığı vardır. Bu makalede, logaritmik yük bağımlılığı olan bir memristörün HP timi tarafından verilen prensipleri kullanarak ve memristör geometrisine bazı değişiklikler yapılarak yapılabileceği gösterilmiştir.
dc.identifier.endpage13
dc.identifier.issue1en_US
dc.identifier.startpage9
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.11776/3080
dc.identifier.volume1
dc.language.isoen
dc.publisherTekirdağ Namık Kemal Üniversitesi
dc.relation.ispartofEuropean Journal of Engineering and Applied Sciences
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectTiO2 memristor model
dc.subjectMemristance calculation
dc.subjectProgrammable gain amplifier
dc.subjectManufacturing tolerances
dc.subjectCircuit topology
dc.subjectTiO2 memristör modeli
dc.subjectMemristans hesaplama
dc.subjectProgramlanabilir güç kuvvetlendiricisi
dc.subjectÜretim toleransları
dc.subjectDevre topolojisi
dc.titleTiO2 Memristor with Logarithmic Memristance
dc.title.alternativeLogaritmik Memristanslı TiO2 Memristör
dc.typeArticle

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
TiO2 Memristor with Logarithmic Memristance.pdf
Boyut:
273.29 KB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim Yok
İsim:
license.txt
Boyut:
1.55 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

European Journal of Engineering and Applied Sciences